2025年9月8日，课题组研究生陈庆鑫在Research（中科院一区，影响因子10.7）发表论文Advances of Emerging Memristors for In-Memory Computing Applications，祝贺！该论文总结了忆阻器在逻辑门应用中的最新进展，重点关注材料设计、器件性能及逻辑电路实现中的关键突破与挑战。对基础逻辑、光电子逻辑和组合逻辑的不同实施策略进行了比较分析，深入讨论了它们各自的特点和优势。该论文还强调了忆阻管逻辑门在可重构计算、神经形态计算和内存计算架构中的应用前景，为高密度集成和高效忆阻管逻辑电路的发展提供了理论基础和实际支持。